场效应管原理

场效应管是一种可以进行信号放大、开关、模拟信号处理和数字信号处理等多种功能的非线性电子元件。和双极性晶体管相比，场效应管具有高输入阻抗、低噪声系数、低相互干扰、高可靠性、结构紧凑、可控性强等优点。因此，在当前电子技术领域得到广泛应用。场效应管大致可以分为两类，即MOS场效应管和JFET场效应管。

MOS场效应管

MOS场效应管又称金属-氧化物-半导体场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），主要由栅极、源极、漏极和半导体底座组成。其原理是通过改变栅极电场的大小，使得栅极和源极之间的电阻发生变化，从而控制源极和漏极之间的电流。MOS场效应管有NMOS和PMOS两种型号，根据数据手册进行选择。

JFET场效应管

JFET场效应管又称结型场效应管（Junction Field Effect Transistor），主要由一个PN结和栅极组成。其原理是：当栅极电压为0时，PN结的串联电容阻值较高，导致漏极电流很小。而当栅极电压增加到一定程度时，PN结的串联电容阻值急剧降低，漏极电流瞬间急剧上升。因此，JFET场效应管适用于需要高输入阻抗、低噪声、小信号处理的电路。

场效应管因为其高输入阻抗、低噪声系数、低相互干扰、高可靠性、结构紧凑、可控性强等优点，在各种电子产品中得到广泛应用。如果你对场效应管有兴趣，可以到一些数字电路培训机构去学习相关知识，提高自己的综合电路分析能力和设计能力。